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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GA10JT12-263 |
| EBEE-Teilenummer | E83282332 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 170W | |
| Dauerstrom | 25A | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
