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GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G3R350MT12J |
| EBEE-Teilenummer | E86203464 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7708 | $ 16.7708 |
| 200+ | $6.6916 | $ 1338.3200 |
| 500+ | $6.4685 | $ 3234.2500 |
| 1000+ | $6.3588 | $ 6358.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 75W | |
| Dauerstrom | 11A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $6.4685 | $ 3234.2500 |
| 1000+ | $6.3588 | $ 6358.8000 |
