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GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G3R30MT12J |
| EBEE-Teilenummer | E83291163 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $54.5179 | $ 54.5179 |
| 200+ | $21.0991 | $ 4219.8200 |
| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 459W | |
| Dauerstrom | 96A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
