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GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G3R20MT12N |
| EBEE-Teilenummer | E83280066 |
| Gehäuse | SOT-227 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $69.9440 | $ 69.9440 |
| 200+ | $27.0688 | $ 5413.7600 |
| 500+ | $26.1159 | $ 13057.9500 |
| 1000+ | $25.6475 | $ 25647.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 365W | |
| Dauerstrom | 105A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $26.1159 | $ 13057.9500 |
| 1000+ | $25.6475 | $ 25647.5000 |
