| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G3R20MT12K |
| EBEE-Teilenummer | E83290744 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $92.1704 | $ 92.1704 |
| 200+ | $35.6689 | $ 7133.7800 |
| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 542W | |
| Dauerstrom | 128A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $92.1704 | $ 92.1704 |
| 200+ | $35.6689 | $ 7133.7800 |
| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
