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GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G3R12MT12K |
| EBEE-Teilenummer | E86048360 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $163.6173 | $ 163.6173 |
| 210+ | $65.2846 | $ 13709.7660 |
| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 567W | |
| Dauerstrom | 157A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
Einkaufsleitfaden
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| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
