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GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G2R120MT33J |
| EBEE-Teilenummer | E83291148 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $140.0672 | $ 140.0672 |
| 200+ | $54.2050 | $ 10841.0000 |
| 500+ | $52.2992 | $ 26149.6000 |
| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J | |
| RoHS | ||
| Dauerstrom | 35A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 3300V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $52.2992 | $ 26149.6000 |
| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
