Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | G2R1000MT33J |
| EBEE-Teilenummer | E83291150 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Ableitung der Stromableitung | 74W | |
| Total Gate Charge | 18nC | |
| Dauerstrom | 5A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 2.4pF | |
| Eingangskapazitanz | 238pF | |
| Akapitän | 10pF | |
| Konfiguration | - | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 1000mΩ | |
| Gekapselte Typ | Single Tube | |
| Drain-Source On-State Resistance (10V) | - | |
| Drain Quellespannung | 3300V | |
| Drain Quelle Schwellenspannung | 3.5V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
