| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CMS120N080WK |
| EBEE-Teilenummer | E829781282 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7543 | $ 17.7543 |
| 10+ | $17.0547 | $ 170.5470 |
| 30+ | $15.8459 | $ 475.3770 |
| 90+ | $14.7892 | $ 1331.0280 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Bruckewell CMS120N080WK | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 188W | |
| Total Gate Charge | 61nC | |
| Dauerstrom | 35A | |
| Konfiguration | - | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 77mΩ | |
| Gekapselte Typ | - | |
| Drain-Source On-State Resistance (10V) | - | |
| Drain Quellespannung | 1200V | |
| Drain Quelle Schwellenspannung | 4V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7543 | $ 17.7543 |
| 10+ | $17.0547 | $ 170.5470 |
| 30+ | $15.8459 | $ 475.3770 |
| 90+ | $14.7892 | $ 1331.0280 |
