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Bruckewell CMS120N080WK


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
CMS120N080WK
EBEE-Teilenummer
E829781282
Gehäuse
TO-247-4
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$17.7543$ 17.7543
10+$17.0547$ 170.5470
30+$15.8459$ 475.3770
90+$14.7892$ 1331.0280
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$
TypBeschreibung
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KategorieGeräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET)
DatenblattBruckewell CMS120N080WK
RoHS
Ableitung der Stromableitung188W
Total Gate Charge61nC
Dauerstrom35A
Konfiguration-
Kanaltyp1 N-Channel
Drain-Source On-State Resistance(15V)-
Drain-Source On-State Resistance(18V)-
Drain-Source On-State Resistance(20V)77mΩ
Gekapselte Typ-
Drain-Source On-State Resistance (10V)-
Drain Quellespannung1200V
Drain Quelle Schwellenspannung4V

Einkaufsleitfaden

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