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Bruckewell CMS120N080B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CMS120N080B |
| EBEE-Teilenummer | E829781281 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Bruckewell CMS120N080B | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 188W | |
| Total Gate Charge | 61nC | |
| Dauerstrom | 35A | |
| Konfiguration | - | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 77mΩ | |
| Gekapselte Typ | - | |
| Drain-Source On-State Resistance (10V) | - | |
| Drain Quellespannung | 1200V | |
| Drain Quelle Schwellenspannung | 4V |
Einkaufsleitfaden
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