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ANHI ADR065N028AH
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ADR065N028AH |
| EBEE-Teilenummer | E822470093 |
| Gehäuse | TOLL |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TOLL Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | ANHI ADR065N028AH | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 45mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 294W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.333nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 226.7pF | |
| Gate Charge(Qg) | 97.6nC |
Einkaufsleitfaden
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