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ANHI ADP120N080G2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ADP120N080G2 |
| EBEE-Teilenummer | E822470090 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-220 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | ANHI ADP120N080G2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 188W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.377nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 62pF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC |
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