| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CID10N65E3 |
| EBEE 부품 번호 | E841369699 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5363 | $ 0.5363 |
| 10+ | $0.4714 | $ 4.7140 |
| 30+ | $0.4382 | $ 13.1460 |
| 100+ | $0.4066 | $ 40.6600 |
| 500+ | $0.4018 | $ 200.9000 |
| 1000+ | $0.3907 | $ 390.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| 데이터시트 | Tokmas CID10N65E3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5363 | $ 0.5363 |
| 10+ | $0.4714 | $ 4.7140 |
| 30+ | $0.4382 | $ 13.1460 |
| 100+ | $0.4066 | $ 40.6600 |
| 500+ | $0.4018 | $ 200.9000 |
| 1000+ | $0.3907 | $ 390.7000 |
