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HXY MOSFET HCG65200DAA
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HCG65200DAA |
| EBEE 부품 번호 | E822396442 |
| 패키지 | DFN-8(8x8) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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15 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6859 | $ 2.6859 |
| 10+ | $2.6226 | $ 26.2260 |
| 30+ | $2.5794 | $ 77.3820 |
| 100+ | $2.5378 | $ 253.7800 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 질화갈륨(GaN) 장치 ,GaN 트랜지스터(GaN HEMT) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HCG65200DAA | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 160mΩ | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6859 | $ 2.6859 |
| 10+ | $2.6226 | $ 26.2260 |
| 30+ | $2.5794 | $ 77.3820 |
| 100+ | $2.5378 | $ 253.7800 |
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