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HXY MOSFET HCG65140DAA


제조사
제조사 부품 번호
HCG65140DAA
EBEE 부품 번호
E822396444
패키지
DFN-8(8x8)
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$2.7944$ 2.7944
10+$2.4046$ 24.0460
30+$2.1726$ 65.1780
100+$1.9393$ 193.9300
500+$1.8303$ 915.1500
1000+$1.7815$ 1781.5000
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유형설명
전체 선택
카테고리Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT)
데이터시트HXY MOSFET HCG65140DAA
RoHS
RDS(on)100mΩ
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)0.5pF
Pd - Power Dissipation113W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.7V
Current - Continuous Drain(Id)17A
Ciss-Input Capacitance125pF
Output Capacitance(Coss)40pF
Gate Charge(Qg)3.3nC

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