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Tokmas CID9N65E3


제조사
제조사 부품 번호
CID9N65E3
EBEE 부품 번호
E822446729
패키지
TO-252-3L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
TO-252-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.8098$ 0.8098
10+$0.6589$ 6.5890
30+$0.5827$ 17.4810
100+$0.5081$ 50.8100
500+$0.4637$ 231.8500
1000+$0.4398$ 439.8000
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유형설명
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카테고리Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT)
데이터시트Tokmas CID9N65E3
RoHS
RDS(on)334mΩ
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)0.3pF
Pd - Power Dissipation39W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V
Current - Continuous Drain(Id)4.8A
Ciss-Input Capacitance42pF
Output Capacitance(Coss)13pF
Gate Charge(Qg)1.2nC

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