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HXY MOSFET HIGLD60R190D1
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HIGLD60R190D1 |
| EBEE 부품 번호 | E841426365 |
| 패키지 | DFN-8(8x8) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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188 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2879 | $ 4.2879 |
| 10+ | $3.7189 | $ 37.1890 |
| 30+ | $3.1313 | $ 93.9390 |
| 100+ | $2.8401 | $ 284.0100 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HIGLD60R190D1 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@6V | |
| Operating Temperature - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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188 Stock for Shipping Fast
188 available for immediate shipping1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2879 | $ 4.2879 |
| 10+ | $3.7189 | $ 37.1890 |
| 30+ | $3.1313 | $ 93.9390 |
| 100+ | $2.8401 | $ 284.0100 |
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