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HXY MOSFET HIGLD60R190D1
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HIGLD60R190D1 |
| EBEE 부품 번호 | E841426365 |
| 패키지 | DFN-8(8x8) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음: 188
최소: 1배수: 1
단가
$ 10.1285
소계
$ 10.1285
1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1285 | $ 10.1285 |
| 10+ | $8.8131 | $ 88.1310 |
| 30+ | $7.4572 | $ 223.7160 |
| 100+ | $6.7840 | $ 678.4000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 질화갈륨(GaN) 장치 ,GaN 트랜지스터(GaN HEMT) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HIGLD60R190D1 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 160mΩ@6V | |
| Pd - Power Dissipation | 75W |
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|---|---|---|
| 1+ | $10.1285 | $ 10.1285 |
| 10+ | $8.8131 | $ 88.1310 |
| 30+ | $7.4572 | $ 223.7160 |
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