| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | A3G26H501W17SR3 |
| EBEE 부품 번호 | E83282571 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $327.2558 | $ 327.2558 |
| 250+ | $126.6438 | $ 31660.9500 |
| 500+ | $122.1936 | $ 61096.8000 |
| 1000+ | $119.9950 | $ 119995.0000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 질화갈륨(GaN) 장치 ,GaN 트랜지스터(GaN HEMT) | |
| 데이터시트 | NXP Semicon A3G26H501W17SR3 | |
| RoHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $327.2558 | $ 327.2558 |
| 250+ | $126.6438 | $ 31660.9500 |
| 500+ | $122.1936 | $ 61096.8000 |
| 1000+ | $119.9950 | $ 119995.0000 |
