| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | A3G26H200W17SR3 |
| EBEE 부품 번호 | E83288699 |
| 패키지 | NI-780S-4S2S |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | NI-780S-4S2S GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 질화갈륨(GaN) 장치 ,GaN 트랜지스터(GaN HEMT) | |
| 데이터시트 | NXP Semicon A3G26H200W17SR3 | |
| RoHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
