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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212080NCTG1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YJD212080NCTG1 |
| EBEE部品番号 | E820605692 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5218 | $ 6.5218 |
| 10+ | $5.6604 | $ 56.6040 |
| 30+ | $5.1367 | $ 154.1010 |
| 90+ | $4.6965 | $ 422.6850 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212080NCTG1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 80mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 220W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 890pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5218 | $ 6.5218 |
| 10+ | $5.6604 | $ 56.6040 |
| 30+ | $5.1367 | $ 154.1010 |
| 90+ | $4.6965 | $ 422.6850 |
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