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SUPSiC GC3M0060065D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC3M0060065D |
| EBEE部品番号 | E87435026 |
| パッケージ | TO247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4787 | $ 5.4787 |
| 10+ | $4.7507 | $ 47.5070 |
| 30+ | $4.3178 | $ 129.5340 |
| 90+ | $3.8795 | $ 349.1550 |
| 600+ | $3.6785 | $ 2207.1000 |
| 900+ | $3.5860 | $ 3227.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC3M0060065D | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 150W | |
| トータルゲートチャージ | 46nC | |
| 連続的な排水の流れ | 29A | |
| 逆の移動容量 | 9pF | |
| 入力容量 | 1020pF | |
| 出力容量 | 80pF | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| ドレインソース オンステート抵抗(15V) | 60mΩ | |
| Vgs(th) | 2.3V | |
| V(BR)DSS | 650V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4787 | $ 5.4787 |
| 10+ | $4.7507 | $ 47.5070 |
| 30+ | $4.3178 | $ 129.5340 |
| 90+ | $3.8795 | $ 349.1550 |
| 600+ | $3.6785 | $ 2207.1000 |
| 900+ | $3.5860 | $ 3227.4000 |
