Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加

Tokmas CI90N120SM4


メーカー
メーカー部品番号
CI90N120SM4
EBEE部品番号
E85364637
パッケージ
TO-247-4
顧客番号
データシート
EDAモデル
説明
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
もっと見る >>
2 在庫あり 即時出荷可能
2 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$7.7868$ 7.7868
10+$6.6709$ 66.7090
30+$5.9905$ 179.7150
90+$5.4190$ 487.7100
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
すべて選択
カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
データシートTokmas CI90N120SM4
RoHS
RDS(on)38mΩ
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)42.8pF
Pd - Power Dissipation463W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)90A
Ciss-Input Capacitance4.7nF
Output Capacitance(Coss)231pF
Gate Charge(Qg)185nC

ショッピングガイド

展開