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Tokmas CI19N120SM
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CI19N120SM |
| EBEE部品番号 | E82959833 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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318 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1210 | $ 3.1210 |
| 10+ | $2.7098 | $ 27.0980 |
| 30+ | $2.0063 | $ 60.1890 |
| 90+ | $1.7428 | $ 156.8520 |
| 510+ | $1.6240 | $ 828.2400 |
| 1020+ | $1.5726 | $ 1604.0520 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | Tokmas CI19N120SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 165mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 36pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC |
ショッピングガイド
展開
318 Stock for Shipping Fast
318 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1210 | $ 3.1210 |
| 10+ | $2.7098 | $ 27.0980 |
| 30+ | $2.0063 | $ 60.1890 |
| 90+ | $1.7428 | $ 156.8520 |
| 510+ | $1.6240 | $ 828.2400 |
| 1020+ | $1.5726 | $ 1604.0520 |
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