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SUPSiC GC3M0016120D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC3M0016120D |
| EBEE部品番号 | E87435039 |
| パッケージ | TO247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>在庫あり: 32
最小: 1倍数: 1
単価
$ 16.9956
合計価格
$ 16.9956
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $16.9956 | $ 16.9956 |
| 10+ | $16.2766 | $ 162.7660 |
| 30+ | $15.0325 | $ 450.9750 |
| 90+ | $13.9457 | $ 1255.1130 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC3M0016120D | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 556W | |
| トータルゲートチャージ | 207nC | |
| 連続的な排水の流れ | 115A | |
| 逆の移動容量 | 13pF | |
| 入力容量 | 6085pF | |
| 出力容量 | 230pF | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| ドレインソース オンステート抵抗(15V) | 16mΩ | |
| Vgs(th) | 2.5V | |
| V(BR)DSS | 1200V |
ショッピングガイド
展開
在庫あり: 32
最小: 1倍数: 1
単価
$ 16.9956
合計価格
$ 16.9956
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $16.9956 | $ 16.9956 |
| 10+ | $16.2766 | $ 162.7660 |
| 30+ | $15.0325 | $ 450.9750 |
| 90+ | $13.9457 | $ 1255.1130 |
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