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Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212040NCFG2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | YJD212040NCFG2 |
| EBEE部品番号 | E820605668 |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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6 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6170 | $ 9.6170 |
| 10+ | $8.3486 | $ 83.4860 |
| 30+ | $7.5756 | $ 227.2680 |
| 90+ | $6.9288 | $ 623.5920 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212040NCFG2 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 44mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 7.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 333W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 66A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.456nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6170 | $ 9.6170 |
| 10+ | $8.3486 | $ 83.4860 |
| 30+ | $7.5756 | $ 227.2680 |
| 90+ | $6.9288 | $ 623.5920 |
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