| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CI90N120SM |
| EBEE部品番号 | E85364636 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
| 30+ | $9.7305 | $ 291.9150 |
| 90+ | $8.9647 | $ 806.8230 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Tokmas CI90N120SM | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| パワーディシパレーション | 463W | |
| トータルゲートチャージ | 164nC | |
| 連続的な排水の流れ | 90A | |
| 逆の移動容量 | 42.8pF | |
| 入力容量 | 4700pF | |
| 出力容量 | 231pF | |
| 設定 | - | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| ドレインソース オンステート抵抗(15V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(18V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(20V) | 27mΩ | |
| Vgs(th) | 2.5V | |
| カプセル化されたタイプ | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 1200V | |
| 排水源のオン状態抵抗(10V) | - |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
| 30+ | $9.7305 | $ 291.9150 |
| 90+ | $8.9647 | $ 806.8230 |
