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Tokmas CI72N170SM
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CI72N170SM |
| EBEE部品番号 | E841782025 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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142 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Tokmas CI72N170SM | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | - | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 6.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 165pF | |
| Gate Charge(Qg) | 193nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
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| 1+ | $10.5915 | $ 10.5915 |
| 10+ | $9.1261 | $ 91.2610 |
| 30+ | $8.2338 | $ 247.0140 |
| 90+ | $7.4844 | $ 673.5960 |
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