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Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS)


メーカー
メーカー部品番号
CI60N120SM5(TOKMAS)
EBEE部品番号
E821547659
パッケージ
TO-247-3
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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10 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$3.9649$ 3.9649
10+$3.4030$ 34.0300
30+$2.9795$ 89.3850
90+$2.6417$ 237.7530
510+$2.4861$ 1267.9110
1020+$2.4160$ 2464.3200
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリ炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET)
データシートTokmas CI60N120SM5(TOKMAS)
RoHS
タイプN-Channel
RDS(オン)60mΩ
動作温度 --55℃~+175℃
逆移動容量(Crss@Vds)11.6pF
Pd - Power Dissipation312W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)60A
Ciss-Input Capacitance2.9nF
Output Capacitance(Coss)118pF
Gate Charge(Qg)128nC

ショッピングガイド

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