| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CI60N120SM4 |
| EBEE部品番号 | E82980704 |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1436 | $ 7.1436 |
| 10+ | $6.3092 | $ 63.0920 |
| 30+ | $5.4948 | $ 164.8440 |
| 90+ | $5.0676 | $ 456.0840 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Tokmas CI60N120SM4 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃ | |
| パワーディシパレーション | 330W | |
| トータルゲートチャージ | 160nC | |
| 連続的な排水の流れ | 60A | |
| 逆の移動容量 | 29pF | |
| 入力容量 | 3550pF | |
| 設定 | - | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| ドレインソース オンステート抵抗(15V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(18V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(20V) | 45mΩ | |
| Vgs(th) | 2.5V | |
| カプセル化されたタイプ | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 1200V | |
| 排水源のオン状態抵抗(10V) | - |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1436 | $ 7.1436 |
| 10+ | $6.3092 | $ 63.0920 |
| 30+ | $5.4948 | $ 164.8440 |
| 90+ | $5.0676 | $ 456.0840 |
