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Tokmas CI40N65SM(TOKMAS)
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CI40N65SM(TOKMAS) |
| EBEE部品番号 | E818214413 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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167 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | Tokmas CI40N65SM(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 65mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
ショッピングガイド
展開
167 Stock for Shipping Fast
167 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
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