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SUPSiC GC3M0080120K
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC3M0080120K |
| EBEE部品番号 | E821547378 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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101 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6639 | $ 4.6639 |
| 10+ | $3.9884 | $ 39.8840 |
| 30+ | $3.5859 | $ 107.5770 |
| 90+ | $3.1787 | $ 286.0830 |
| 450+ | $2.9909 | $ 1345.9050 |
| 900+ | $2.9057 | $ 2615.1300 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC3M0080120K | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 90mΩ | |
| 動作温度 - | -40℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
ショッピングガイド
展開
101 Stock for Shipping Fast
101 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6639 | $ 4.6639 |
| 10+ | $3.9884 | $ 39.8840 |
| 30+ | $3.5859 | $ 107.5770 |
| 90+ | $3.1787 | $ 286.0830 |
| 450+ | $2.9909 | $ 1345.9050 |
| 900+ | $2.9057 | $ 2615.1300 |
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