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SUPSiC GC3M0065090D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC3M0065090D |
| EBEE部品番号 | E87435034 |
| パッケージ | TO247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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194 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5290 | $ 5.5290 |
| 10+ | $4.7990 | $ 47.9900 |
| 30+ | $4.1654 | $ 124.9620 |
| 90+ | $3.7924 | $ 341.3160 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC3M0065090D | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 65mΩ@15V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 66pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
ショッピングガイド
展開
194 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5290 | $ 5.5290 |
| 10+ | $4.7990 | $ 47.9900 |
| 30+ | $4.1654 | $ 124.9620 |
| 90+ | $3.7924 | $ 341.3160 |
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