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SUPSiC GC3M0040120K
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC3M0040120K |
| EBEE部品番号 | E87435054 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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219 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.8859 | $ 6.8859 |
| 10+ | $6.0238 | $ 60.2380 |
| 30+ | $5.3855 | $ 161.5650 |
| 90+ | $4.9441 | $ 444.9690 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC3M0040120K | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 40mΩ@15V | |
| 動作温度 - | -40℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 66A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 103pF | |
| Gate Charge(Qg) | 164nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.8859 | $ 6.8859 |
| 10+ | $6.0238 | $ 60.2380 |
| 30+ | $5.3855 | $ 161.5650 |
| 90+ | $4.9441 | $ 444.9690 |
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