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SUPSiC GC2M0160120D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC2M0160120D |
| EBEE部品番号 | E87435048 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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181 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9169 | $ 3.9169 |
| 10+ | $3.4485 | $ 34.4850 |
| 30+ | $2.9087 | $ 87.2610 |
| 90+ | $2.6277 | $ 236.4930 |
| 600+ | $2.4975 | $ 1498.5000 |
| 900+ | $2.4387 | $ 2194.8300 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC2M0160120D | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 160mΩ@20V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 606pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
ショッピングガイド
展開
181 Stock for Shipping Fast
181 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9169 | $ 3.9169 |
| 10+ | $3.4485 | $ 34.4850 |
| 30+ | $2.9087 | $ 87.2610 |
| 90+ | $2.6277 | $ 236.4930 |
| 600+ | $2.4975 | $ 1498.5000 |
| 900+ | $2.4387 | $ 2194.8300 |
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