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SUPSiC GC2M0080120D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC2M0080120D |
| EBEE部品番号 | E87435046 |
| パッケージ | TO247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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411 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7790 | $ 4.7790 |
| 10+ | $4.1963 | $ 41.9630 |
| 30+ | $3.3501 | $ 100.5030 |
| 90+ | $2.9992 | $ 269.9280 |
| 600+ | $2.8373 | $ 1702.3800 |
| 900+ | $2.7642 | $ 2487.7800 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC2M0080120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 80mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
ショッピングガイド
展開
411 Stock for Shipping Fast
411 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7790 | $ 4.7790 |
| 10+ | $4.1963 | $ 41.9630 |
| 30+ | $3.3501 | $ 100.5030 |
| 90+ | $2.9992 | $ 269.9280 |
| 600+ | $2.8373 | $ 1702.3800 |
| 900+ | $2.7642 | $ 2487.7800 |
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