| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC2M0080120D1 |
| EBEE部品番号 | E819271983 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1016 | $ 3.1016 |
| 10+ | $2.9328 | $ 29.3280 |
| 30+ | $2.8342 | $ 85.0260 |
| 90+ | $2.7318 | $ 245.8620 |
| 450+ | $2.6851 | $ 1208.2950 |
| 900+ | $2.6636 | $ 2397.2400 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC2M0080120D1 | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 190W | |
| 連続的な排水の流れ | 34A | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| V(BR)DSS | 1200V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1016 | $ 3.1016 |
| 10+ | $2.9328 | $ 29.3280 |
| 30+ | $2.8342 | $ 85.0260 |
| 90+ | $2.7318 | $ 245.8620 |
| 450+ | $2.6851 | $ 1208.2950 |
| 900+ | $2.6636 | $ 2397.2400 |
