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SUPSiC GC2M0045170D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | GC2M0045170D |
| EBEE部品番号 | E87435058 |
| パッケージ | TO247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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111 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.4516 | $ 21.4516 |
| 3+ | $19.9633 | $ 59.8899 |
| 30+ | $18.9710 | $ 569.1300 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | SUPSiC GC2M0045170D | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 45mΩ@20V | |
| 動作温度 - | -40℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.672nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 176pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
ショッピングガイド
展開
111 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.4516 | $ 21.4516 |
| 3+ | $19.9633 | $ 59.8899 |
| 30+ | $18.9710 | $ 569.1300 |
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