| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SCTWA60N120G2-4 |
| EBEE部品番号 | E83281096 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4 | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 388W | |
| 連続的な排水の流れ | 60A | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| 排水源電圧 | 1200V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
