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STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SCTWA40N120G2V-4 |
| EBEE部品番号 | E85268807 |
| パッケージ | HiP-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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30 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $16.1942 | $ 16.1942 |
| 10+ | $15.4330 | $ 154.3300 |
| 30+ | $14.1145 | $ 423.4350 |
| 90+ | $12.9657 | $ 1166.9130 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 100mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+200℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.45V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.233nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC |
ショッピングガイド
展開
30 Stock for Shipping Fast
30 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $16.1942 | $ 16.1942 |
| 10+ | $15.4330 | $ 154.3300 |
| 30+ | $14.1145 | $ 423.4350 |
| 90+ | $12.9657 | $ 1166.9130 |
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