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STMicroelectronics SCTW70N120G2V
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SCTW70N120G2V |
| EBEE部品番号 | E83281068 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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10 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $30.6841 | $ 30.6841 |
| 30+ | $29.0551 | $ 871.6530 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | STMicroelectronics SCTW70N120G2V | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 30mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+200℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 28pF | |
| Pd - Power Dissipation | 547W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 91A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.54nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 176pF | |
| Gate Charge(Qg) | 150nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
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| 1+ | $30.6841 | $ 30.6841 |
| 30+ | $29.0551 | $ 871.6530 |
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