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STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SCTH35N65G2V-7AG |
| EBEE部品番号 | E83288435 |
| パッケージ | H2PAK-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | H2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9234 | $ 12.9234 |
| 30+ | $12.2744 | $ 368.2320 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9234 | $ 12.9234 |
| 30+ | $12.2744 | $ 368.2320 |
