| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SP90N120CTK |
| EBEE部品番号 | E822466827 |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7391 | $ 3.7391 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Siliup SP90N120CTK | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 15mΩ@18V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 503W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 135A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.76nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 243pF | |
| Gate Charge(Qg) | 210nC |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7391 | $ 3.7391 |
