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Siliup SP50N120CTK


メーカー
メーカー部品番号
SP50N120CTK
EBEE部品番号
E822466829
パッケージ
TO-247-4L
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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50 在庫あり 即時出荷可能
50 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$3.4091$ 3.4091
10+$2.8886$ 28.8860
30+$2.5796$ 77.3880
90+$2.2677$ 204.0930
510+$2.1246$ 1083.5460
990+$2.0591$ 2038.5090
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリ炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET)
データシートSiliup SP50N120CTK
RoHS
タイプN-Channel
RDS(オン)35mΩ@18V
動作温度 --55℃~+175℃
逆移動容量(Crss@Vds)12pF
Pd - Power Dissipation312W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)74A
Ciss-Input Capacitance2.975nF
Output Capacitance(Coss)119pF
Gate Charge(Qg)117nC

ショッピングガイド

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