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Siliup SP25N120CTK
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SP25N120CTK |
| EBEE部品番号 | E822466831 |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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76 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
| 990+ | $1.2495 | $ 1237.0050 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Siliup SP25N120CTK | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 60mΩ@18V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.92nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
ショッピングガイド
展開
76 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
| 990+ | $1.2495 | $ 1237.0050 |
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