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Sichainsemi S1P14R120HSE-A
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | S1P14R120HSE-A |
| EBEE部品番号 | E837636089 |
| パッケージ | SOT-227 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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29 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $18.9414 | $ 18.9414 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | Sichainsemi S1P14R120HSE-A | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF | |
| Pd - Power Dissipation | 349W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.521nF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $18.9414 | $ 18.9414 |
| 30+ | $17.9887 | $ 539.6610 |
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