15% off
Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
Sichainsemi S1M075120J2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | S1M075120J2 |
| EBEE部品番号 | E822363611 |
| パッケージ | TO-263-7L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>86 在庫あり 即時出荷可能
86 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | Sichainsemi S1M075120J2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 169W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 39A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
ショッピングガイド
展開
86 Stock for Shipping Fast
86 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7572 | $ 2.7572 |
| 10+ | $2.6213 | $ 26.2130 |
| 50+ | $2.5419 | $ 127.0950 |
| 100+ | $2.4599 | $ 245.9900 |
| 500+ | $2.4222 | $ 1211.1000 |
| 1000+ | $2.4060 | $ 2406.0000 |
数量が多い場合の最良価格？
$
