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Sichainsemi S1M040120D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | S1M040120D |
| EBEE部品番号 | E822363606 |
| パッケージ | TO-247-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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321 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | Sichainsemi S1M040120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 32mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 73A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.159nF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
ショッピングガイド
展開
321 Stock for Shipping Fast
321 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
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