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onsemi NVH4L070N120M3S


メーカー
メーカー部品番号
NVH4L070N120M3S
EBEE部品番号
E820625010
パッケージ
TO-247-4L
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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10 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$14.0564$ 14.0564
10+$13.3820$ 133.8200
30+$12.2121$ 366.3630
90+$11.1926$ 1007.3340
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$
タイプ説明
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カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
データシートonsemi NVH4L070N120M3S
RoHS
TypeN-Channel
Configuration-
RDS(on)35mΩ@18V
Operating Temperature --55℃~+175℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)5pF
Pd - Power Dissipation160W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))-
Current - Continuous Drain(Id)34A
Ciss-Input Capacitance1.23nF
Gate Charge(Qg)57nC

ショッピングガイド

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