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onsemi NVH4L060N090SC1


メーカー
メーカー部品番号
NVH4L060N090SC1
EBEE部品番号
E82902307
パッケージ
TO-247-4L
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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連絡先名
ビジネスメール
会社名
品質
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$18.5673$ 18.5673
10+$16.9812$ 169.8120
30+$15.5226$ 465.6780
90+$14.2498$ 1282.4820
タイプ説明
すべて選択
カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
データシートonsemi NVH4L060N090SC1
RoHS
TypeN-Channel
Pd - Power Dissipation221W
Drain to Source Voltage900V
Current - Continuous Drain(Id)46A

ショッピングガイド

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