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onsemi NVBG070N120M3S
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NVBG070N120M3S |
| EBEE部品番号 | E820539231 |
| パッケージ | D2PAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | D2PAK Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.4165 | $ 17.4165 |
| 5+ | $12.9187 | $ 64.5935 |
| 30+ | $11.9860 | $ 359.5800 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | onsemi NVBG070N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 87mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 172W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.4165 | $ 17.4165 |
| 5+ | $12.9187 | $ 64.5935 |
| 30+ | $11.9860 | $ 359.5800 |
